吕燕会

基本情况

吕燕会，女，1994年8月生，山东菏泽人，中共党员，讲师。

主要简历

2017年毕业于聊城大学物理学专业并获理学学士学位，2020年毕业于北京理工大学物理学专业并获理学硕士学位，2024年毕业于北京理工大学物理学专业并获理学博士学位。现任大数据与基础科学学院信息与数据科学系教师。

研究方向及主讲课程

主要从事低维材料器件与应用研究，聚焦于半导体二维材料器件设计、性能提升及应用开发。主讲《大学物理》、《大学物理实验》等课程。

学术成就

发表学术论文10篇，其中SCI和EI收录10篇；授权发明专利1项。

代表性教科研成果及获奖

1.Amplifying photocurrent of graphene on GeSn film by sandwiching a thin oxide between them[J].Applied Physics Letters.2020,117(15)（SCI）,位次1/10

2.Photoelectrical properties of graphene/doped GeSn vertical heterostructures[J].RSC Advances.2020,10(35)（SCI）,位次1/9

3.一种提高单层二维半导体发光亮度的方法.发明专利,2020.12,位次2/2

4.Robust Anti-Ambipolar Behavior and Gate-Tunable Rectifying Effect in van der Waals p–n Junctions[J].ACS Applied Electronic Materials.2022,4(11)（SCI）,位次1/12

5.Strain-Dependent Optical Properties of Monolayer WSe₂[J].The Journal of Physical Chemistry C.2023,127(46)（SCI）,位次1/7

6.Photoluminescence of Monolayer WSe₂ Enhanced by the Exciton Funnel Effect and the Interfacial Carrier Tunneling Effect When Integrated with 3D Si Wrinkled Structures[J].Spin.2024,2450004（SCI）,位次1/9

7.Band Alignment Transition and Enhanced Performance in Vertical SnS₂/MoS₂ van der Waals Photodetectors[J].ACS Applied Materials Interfaces.2024,16(17)（SCI）,位次2/9

8.Electrical and optical properties of InSe with various interfaces[J].Applied Physics Letters.2022.121(7)（SCI）,位次2/10

9.Giant gauge factor of Van der Waals material based strain sensors[J].Nature Communications.2021,12(1)（SCI）,位次3/16

10.Sub-millimeter size high mobility single crystal MoSe₂ monolayers synthesized by NaCl-assisted chemical vapor deposition[J].RSC Advances.2020,10(3)（SCI）,位次3/16

11.Simultaneously Enhanced Emission and Valley Polarization of Dark Excitons of Monolayer WSe₂ Using the Dual Effect of Strain and Magnetic Proximity[J].The Journal of Physical Chemistry C.2024,128(12)（SCI）,位次4/9