基本情况
孙智磊，男，1992年10月生，山东东营人，讲师。
主要简历
2014年毕业于吉林大学物理学专业并获理学学士学位，于2012年和2014年获得国家留学基金委“赴俄罗斯专业人才培养计划”支持，分别以本科插班生和博士研究生的身份前往俄罗斯托姆斯克国家研究型理工大学进行学习，2016年毕业于托姆斯克国家研究型理工大学物理学专业并获理学硕士学位，2021年毕业于托姆斯克国家研究型理工大学物理学与天文学专业并获理学博士学位。于2018.09-2018.12，2019.09-2020.06，以及2020.08-2020.12期间担任托姆斯克国家研究型理工大学工程师-研究员职务，于2022.04-2024.03担任南京京东方显示技术有限公司工艺开发研究员职务，现任大数据与基础科学学院信息与数据科学系教师。
研究方向及主讲课程
主要从事磁控溅射制备功能性薄膜、医疗器材表面改性、金属氧化物薄膜晶体管制备等方面的研究工作。主讲《大学物理》、《大学物理实验》课程。
学术成就
在校期间参与俄罗斯联邦级、校级科研项目3项，横向项目1项；工作期间参与3项集团重点项目；发表学术论文7篇，其中SCI收录3篇，俄罗斯BAK收录4篇；申请中发明专利8项，其中2项同步申请国际发明专利。
代表性教科研成果及获奖
1.“Development of composite bioresorbable materials with cytostatic and therapeutic effects for the treatment of oncological pathologies”.校级一般项目.2018,位次9/18
2.“Development of osteostimulating implants based on hybrid technologies for modifying their surface and computer simulation of drug release for personalized medicine in polytrauma and oncology”.俄罗斯联邦级项目.2018,位次15/32
3.“Development of prototypes of medical devices based on hybrid and composite materials with a therapeutic effect for the treatment of various nosologies”.校级一般项目.2020,位次7/14
4.“Development of a method for applying DDS CaP coatings containing NO for biomedical applications”.横向项目.2021,位次8/12
5.“CLK AD改善项目”.京东方集团项目.2022
6.“高迁氧化物技术开发”.京东方集团项目.2022
7.“Top-gate+高迁氧化物技术开发”.京东方集团项目.2022
8. Effect of nitrogen-doping and post annealing on wettability and band gap energy of TiO2 thin film, Applied Surface Science 500 (2020) 144048（SCI收录）,位次1/8
9. Nitrogen-doped titanium dioxide films fabricated via magnetron sputtering for vascular stent biocompatibility improvement, Journal of Colloid and Interface Science 626 (2022) 101–112（SCI收录）,位次1/12
10. Recent Advances in Manufacturing Innovative Stents, Pharmaceutics 12 (2020) 349（SCI收录）,位次11/14
11. Исследование плазмы реактивного магнетронного разряда в трехкомпонентной газовой среде зондовым методом, Приборы и техника эксперимента. 6 (2016) 44–49（俄罗斯BAK收录）,位次3/4
12. Растворение in vitro, структурные и электрокинетические характеристики оксинитридных покрытий титана, полученных методом реактивного магнетронного распыления, Поверхность. рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 3 (2016) 19–29（俄罗斯BAK收录）,位次6/7
13. Определение концентрации и температуры электронов в плазме магнетронного разряда с помощью оптической спектроскопии и столкновительно-излучательной модели аргона, Известия высших учебных заведений ФИЗИКА. 60(5) (2017) 21–29（俄罗斯BAK收录）,位次6/6
14. Исследование влияния реактивной атмосферы на характеристики пленок азотосодержащего диоксида титана, осажденных методом магнетронного распыления, Известия высших учебных заведений ФИЗИКА. 61(8/2) (2018) 178–182（俄罗斯BAK收录）,位次1/3
15. [CN116013939A]一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法.发明专利,2023.02,位次4/4
16. [申请号202310637897.8]薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置.发明专利,2023.05,位次2/3
17. [申请号202310755791.8]显示基板和显示装置.发明专利,2023.06,位次2/2
18. [申请号202380012078.2、PCT/CN2023/135460]显示面板和显示装置.发明专利,2023.11,位次1/4
19. [申请号202410107819.1]显示基板及其制作方法、显示装置.发明专利,2024.01,位次4/7
20. [申请号202410444913.6]测试电路、显示基板以及显示装置.发明专利,2024.04,位次1/6
21. [申请号202410509436.7]显示基板及其制备方法和显示面板.发明专利,2024.04,位次7/11
22. [申请号202480001069.8、PCT/CN2024/096458]显示基板、显示面板以及显示装置.发明专利,2024.05,位次1/6
